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本文介绍一种集成微通道的表面增强拉曼基底.采用湿法刻蚀方法在硅片上形成微通道,然后电子束蒸发沉积金薄膜,最后在300℃温度下高真空退火30分钟,使微通道内形成均匀且高密度的金纳米颗粒结构.用场发射扫描电子显微镜(SEM)对基底表面进行表征发现:金膜厚度对基底的表面形貌影响很大,5 nm厚的金膜在退火后形成了均匀的高密度的纳米颗粒结构,而10 nm厚的金膜退火后没有得到高密度纳米颗粒结构.用10-6M的罗丹明6G作为探测分子进行拉曼实验测试结果同样表明:5 nm厚的金膜退火后形成高密度的金纳米颗粒显著地增强了R6G拉曼信号.同时,对比了宽度分别为25、60、110 μm三种尺寸的微通道的基底表面形貌和拉曼增强效应,微通道尺寸对表面形貌和拉曼增强效应影响均很小.