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介绍一种完美晶体器件（ＰＣＤ）低温ＢＮ扩散工艺。经本工艺处理后用化学方法腐蚀晶片，在显微镜下观察，表面缺陷如层错、位错极少。同时，由于在第一步只中采用了Ｈ２注入引入水汽把Ｂ２Ｏ３转为ＨＢＯ２，而在相同温度下ＨＢＯ２的蒸气压比Ｂ２Ｏ３大几个数量级，故本工艺可在较低的温度下实现Ｂ掺杂的大量迅速传递，独立的传递步骤控制掺杂总量。因而能有效地控制方块电阻的均匀性和一致性。而且，低温过程减少了热应力的生产