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在很多金属材料中,界面处元素的偏聚对材料的力学性能往往起到至关重要的作用.随着电子显微学的进步,电子能量损失谱(EELS)已被用来研究界面处的性能.例如,对Ni3Al晶界处电子能量损失谱的研究表明,B在晶界处的偏聚改变了晶界处的电子态,从而对于改善Ni3Al的脆性具有明显的作用[1,2].