【摘 要】
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在0 .35μm 2P4M标准CMOS工艺上,设计了一个精确的1 .08GHz CMOS电感电容压控振荡器.提出了一种有效计算压控振荡器周期的新方法,采用该方法计算的频率电压调谐曲线与实验结
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433,上海20043
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在0 .35μm 2P4M标准CMOS工艺上,设计了一个精确的1 .08GHz CMOS电感电容压控振荡器.提出了一种有效计算压控振荡器周期的新方法,采用该方法计算的频率电压调谐曲线与实验结果吻合得很好.在电源电压3 .3V下,消耗电流3 .1mA,压控振荡器的相位噪声在10kHz 频偏处为- 82 .2dBc/Hz.芯片面积为0 .86mm×0 .82mm.
An accurate 1 .08 GHz CMOS voltage-controlled capacitor (VCO) oscillator is designed on 0.35μm 2P4M standard CMOS process. A new method to calculate the period of voltage-controlled oscillator is proposed. The frequency-voltage tuning curve Which is in good agreement with the experimental results. The current consumption of the voltage-controlled oscillator is 3.1 mA at a supply voltage of 3.3V, and the phase noise of the voltage-controlled oscillator is -82.2dBc / Hz at a frequency offset of 10kHz. The chip area is 0.86mm × 0 .82mm.
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