【摘 要】
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据国外媒体报道,英特尔、东芝和三星电子将联手开发新技术,在2016年前将芯片制造工艺提升到10纳米级别。据《日经新闻》报道,全球排名前两位的NAND闪存制造商三星电子和东芝
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据国外媒体报道,英特尔、东芝和三星电子将联手开发新技术,在2016年前将芯片制造工艺提升到10纳米级别。据《日经新闻》报道,全球排名前两位的NAND闪存制造商三星电子和东芝将与最大的芯片厂商英特尔结成合作伙伴,并邀请大约10家半导体材料及其他领域的企业加入这一联合体。据?
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