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钎焊和扩散焊制备的Sn／Cu接头在无磁场下不同温度时效，研究接头界面处金属间化合物（IMC）层的生长行为。结果表明：两种接头界面IMC层在时效初始时刻的横截面和形貌均不同，在时效过程中的生长行为类似，钎焊和扩散焊接头界面IMC层的生长激活能分别为116和94kJ／mol。为研究强磁场对界面IMC层生长行为的影响，两种试样在190℃、磁场强度为8T时效。实验结果表明：两种接头界面IMC层的生长动力学相同，但晶粒形貌和晶体取向差别明显。