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硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究

来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaoxunjun

【摘 要】

：

本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征.器件阈值电压偏移达1.8V以上，并随着沟道宽度的变窄而增加，而与沟道长度基本无关.同时，阈值涨落也随宽度的变窄而增大.在20～300K测

【作 者】

：

施毅 袁晓利 吴军 杨红官 顾书林 韩平 郑有炓 

【机 构】

：

南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室

【出 处】

：

电子学报

【发表日期】

：

2001年2期

【关键词】

：

硅纳米晶粒 存储器 MOSFET 荷电特征 Data storage equipment Nanostructured materials Silicon Te 

【基金项目】

：

国家自然科学基金，江苏省自然科学基金

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本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征.器件阈值电压偏移达1.8V以上，并随着沟道宽度的变窄而增加，而与沟道长度基本无关.同时，阈值涨落也随宽度的变窄而增大.在20～300K测量温度范围内，器件阈值偏移和电荷的存储特性几乎不随温度变化，说明荷电过程主要由直接隧穿决定.进一步，在最窄沟道器件中观察到单电荷的荷电过程.

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