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介绍了β-FeSi2合金的基本特性和制备方法。评述了目前通过不同的元素掺杂可制得N型或P型β-FeSi2基半导体材料以及在热电性能方面取得的重要大进展。其中掺杂Co，B元素可得到N型β-FeSi2基半导体材料，且掺杂Co，在850K最大ZT值为0．4；而掺杂B，高于800K时Z值是未掺杂3～6倍，在667K最大Z值为1．18×10^-4 K^-1。掺杂Mn，Cu，Al可获得P型β-FeSi2基半导体材料，掺杂Mn在873K时最大Z值达2×10^-4K^-1；掺杂Cu可缩短B相的生成时间