Nd：GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能

来源 :光电子．激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenhuiww060606

【摘要】

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通过液相合成方法提纯Nd∶GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体"后天性光散射",Czochralski方法成功生长系列不同钕

【作者】

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杨菁秦连杰孟宪林张小民

【机构】

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山东大学信息科学与工程学院,烟台大学环境和材料工程学院,山东大学晶体材料国家重点实验室,中国工程物理研究院激光聚变研究中心

【出处】

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光电子．激光

【发表日期】

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2004年9期

【关键词】

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调Q 激光输出 ND:GDVO4晶体 LD端面泵浦调制激光性能峰值功率晶体生长光散射单晶 crystal growth Nd∶GdVO_4 Q-sw

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通过液相合成方法提纯Nd∶GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体"后天性光散射",Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd∶GdVO4单晶.采用不同透过率的Cr4+∶YAG晶体对Nd∶CdVO4晶体进行激光调Q实验.实验结果显示,Cr4+∶YAG Nd∶GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出.实验得到的最小脉冲宽度只有6 ns,对应峰值能量为26.4 kW.对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较

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