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用摄动法求解了硅横向压阻效应四端器件的偏微分方程.用渐近解的分析方法对所求到的解进行简化,导出了硅横向压阻效应四端压力传感器的输出电压表达式.所得公式能够定量表达输出电压与输入参量和器件几何参数的关系,所得到结果与数值解和实验结果吻合.
硅四端横向压阻式压力传感器的解析模型
【摘 要】
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用摄动法求解了硅横向压阻效应四端器件的偏微分方程.用渐近解的分析方法对所求到的解进行简化,导出了硅横向压阻效应四端压力传感器的输出电压表达式.所得公式能够定量表达
【机 构】
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合肥工业大学计算机系,安徽大学电子工程系
【出 处】
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中国科学技术大学学报
【发表日期】
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2005年5期
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