世界观、人生观、价值观与精神文明建设

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CMOS器件按比例缩小要求SiO2绝缘层厚度越来越小,导致栅极漏电流急剧增加,器件的可靠性下降。高介电常数栅介质二氧化铪(HfO2)的应用可以解决SiO2作为栅介质所面临的问题,本文将讨论HfO2做为栅介质的可靠性问题。本论文首先介绍了原子层淀积(ALD)工艺的原理和特点,利用该工艺可以淀积出高质量HfO2薄膜介质。接着讨论了MOS电容结构的理想和实际C-V特性,分析氧化层中存在的各种电荷和缺陷,
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