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采用分离式Hopkinson压杆装置（SHPB）和扫描电镜电子通道衬度（SEM—ECC）技术研究了不同取向疲劳态铜单晶高应变率压缩下形成的绝热剪切带（ASB）．实验表明，ASB形成的临界应变与晶体取向有关，接近压缩临界双滑移取向晶体需要的临界应变最小，单滑移和压缩共轭双滑移取向的次之，共面双滑移取向的最大．本实验条件下形成的ASB内部典型的位错组态为位错胞结构，未观察到再结晶现象．根据空间位向，ASB可以分为3类：第1类非常接近铜晶体疲劳时形成的第2类形变带（DBII）平面，其临界应变最小；第2类ASB位