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设计刻槽深度渐变的金属光栅,利用截止频率控制太赫兹表面波的传播距离.金属光栅刻槽深度在60μm时的截止频率为0.6THz,120μm时的截止频率为1.1THz.同时根据半导体材料InSb在太赫兹波段的色散特性、载流子浓度和迁移率的经验公式、光栅结构的等效介质理论设计了温控的半导体光栅.在270~300K温度范围内,半导体光栅中表面波的传播距离和温度成正比,300K时传播距离为270K时的2~3倍.