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近表面辉光放电实现了在镜面抛光硅表面的高密度形核。形核时间可以缩短到3min;形核密度可达>10~(10)/cm~2。用原子力显微镜观察近表面辉光放电法和负偏压法处理的基片表面形貌,观察结果表明近表面辉光放电法极大地避免了正、负离子轰击造成样品表面的破坏。放电产生的高密度原子氢和碳氢化合物活性粒子是这种方法高密度形核的关键因素。