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溅射总气压一定，通过改变氧氩气体的比例，用射频磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备VOχ薄膜。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、QJ31单臂电桥等测试了不同氧氩比例对VOχ薄膜的晶体结构、表面形貌、成分和电阻的影响。测试分析结果表明，氧氩比是影响VOχ薄膜结构及性能的重要因素。在我们的实验条件下，最佳氧氩比为2：25，电阻温度系数为-2．87％／℃。