【摘 要】
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The electronic structure and optical property of stacked GaN-WS2 heterostructure are explored with HSE06 calculation based on density functional theory. The direct band gap of GaN-WS2 heterostructure is 1.993 eV, which is obviously a type-Ⅱ band alignment
【机 构】
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School of Information Engineering,Hubei Minzu University,Enshi 44500,China;School of Advanced Materi
【出 处】
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武汉理工大学学报（材料科学版）（英文版）
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The electronic structure and optical property of stacked GaN-WS2 heterostructure are explored with HSE06 calculation based on density functional theory. The direct band gap of GaN-WS2 heterostructure is 1.993 eV, which is obviously a type-Ⅱ band alignment semiconductor. Furthermore, the optical property of GaN-WS2 heterostructure such as absorption coefficient is analyzed. These new findings enable GaN-WS2 heterostructure to be promising candidates for photovoltaic cells and electronic devices in visible light.
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