一种新型半导体超辐射集成光源

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为有效地提高超辐射输出功率,满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要,提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想,并采用AlGaAs单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明,这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率,有望成为新一代大功率超辐射光源。 In order to effectively improve the output power of super-radiation and satisfy the expanding needs of super-radiation LED applications, the idea of ​​monolithic integration of superluminescent LED and semiconductor optical amplifier is proposed. AlGaAs single quantum well, gain-guided oxide Strip structure, the integrated device was initially developed. Experimental results show that this integrated device can effectively improve the output power of super-radiation and is expected to become a new generation of high-power super-radiation light source.
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