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基于表面氢化处理的金刚石材料，利用自对准栅工艺技术研制了P型金刚石肖特基栅场效应晶体管（MEsFET）。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时，对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用TLM方法测试获得的表面氢化处理金刚石材料的方阻和Au欧姆接触比接触电阻率分别为4kΩ／口和5．24×10-4Ω·cm。。研制的1μm栅长金刚石MESFET器件的最大电流在-5V偏压下达到10mA／mm以上。