离子注入及后退火方法制备SiO2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liuhaichao811

【摘要】

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利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入3×1017cm-2剂量的Zn离子,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2基质中的ZnO纳米粒子.X射线衍射光谱的实

【作者】

：

刘玉学刘益春申德振钟国柱范希武孔祥贵

【机构】

：

中国科学院激发态物理重点实验室,中国科学院激发态物理重点实验室

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2002年5期

【关键词】

：

后退火方法制备 SiO2基质结构光学性质离子注入 ZNO纳米粒子光致发光激子氧化锌二氧化硅基质 ion implantation ZnO na

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入3×1017cm-2剂量的Zn离子,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2基质中的ZnO纳米粒子.X射线衍射光谱的实验结果表明:在氧气气氛、700℃退火温度和2小时退火时间条件下,得到了(002)择优取向镶嵌在SiO2基质中的ZnO纳米粒子;而在700℃退火温度、N2和O2气氛下顺次退火1小时,得到了比上述条件(002)择优取向更好的ZnO纳米粒子.室温下对用上述两种条件制备的镶嵌在SiO2基质中的ZnO纳米粒子观察到了自由激子吸收峰.

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