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为制备低相变温度、高相变特性的氧化钒薄膜,分析了氧化钒的结构,及其结构决定的特有相变,相变前后独特的光电性能及其应用。比较研究了各种制备方法,得到最低相变温度、最高的电阻变化率和电阻温度系数分别达24℃、10^5、-5.2%K^-1,研究表明,掺杂改性及新的成膜工艺的研究是氧化钒薄膜的发展方向。