【摘 要】
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建立一个理想的带栅极纳米线模型，利用静电场理论计算出纳米线顶端电场增强因子，进一步分析了栅孔半径以及栅极电压等参数对电场增强因子和纳米线顶端表面电流密度的影响。结果
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室,中国科学院研究生院,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
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建立一个理想的带栅极纳米线模型，利用静电场理论计算出纳米线顶端电场增强因子，进一步分析了栅孔半径以及栅极电压等参数对电场增强因子和纳米线顶端表面电流密度的影响。结果表明，在加较大的栅极电压的情况下栅孔半径越小，电场增强因子就越大，且随着栅极电压的增加电场增强因子近似地线性增加；而当栅极电压等于零（或接近于零）时栅孔对纳米线表面电场的屏蔽效应较显著，栅孔半径越大，电场增强因子反而越大；电流密度在纳米线顶端边缘处最大，而且随着栅极电压的增加而呈指数增加。
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