【摘 要】
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在多孔硅 (PS)表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此 ,器件电子发射效率显著提高 ,在32 .5 V偏压下 ,发射效率达 13.5 % ,发射电流密度 2 9μA/ cm2 ;工作电流和发
【机 构】
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在多孔硅 (PS)表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此 ,器件电子发射效率显著提高 ,在32 .5 V偏压下 ,发射效率达 13.5 % ,发射电流密度 2 9μA/ cm2 ;工作电流和发射电流的波动性明显减小 ;器件稳定性得到提高。
Interlayer type multi-layer structure is employed in the electron emission cold cathode of porous silicon (PS) surface. As a result, the electron emission efficiency of the device is significantly improved. At a bias of 32.5 V, the emission efficiency reaches 13.5% and the emission current density is 29 μA / cm2. The fluctuation of the operating current and the emission current is significantly reduced, and the device stability is improved .
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