【摘 要】
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采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;
【机 构】
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重庆光电技术研究所,天津工业大学信息与通信工程学院,
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采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器,其蓝光响应明显增加。
ITO transparent conductive film was prepared by reactive sputtering method. The resistivity of the film is 2.59 × 10-4Ω · cm and the visible light transmittance can reach 90%. By optimizing the lithography process conditions and selecting the appropriate ITO film etching solution, Completed the production of ITO transparent gate electrode; the use of ITO transparent electrode instead of one of the polycrystalline silicon electrode, the production of CCD image sensor, the blue-ray response increased significantly.
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