磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究

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【摘要】

：

采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特

【作者】

：

高立刚陈刚邓书康陈亮阚家德俞帆杨宇

【机构】

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云南大学

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2004年z1期

【关键词】

：

Ge薄膜 XRD Raman散射光谱晶粒尺寸声子限域理论

【基金项目】

：

云南省科技攻关项目(2001G06)

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采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.

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