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分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究.
ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化
【摘 要】
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分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进
【机 构】
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河北工业大学微电子研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2004年7期
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