【摘 要】
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利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基Zn0薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究.结果发现:未退火或低温退火(≤850℃)薄膜的形貌呈现较弱的各向异性,晶粒尺寸
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利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基Zn0薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究.结果发现:未退火或低温退火(≤850℃)薄膜的形貌呈现较弱的各向异性,晶粒尺寸大小较为均匀,尺寸约为50 nm.当经高温退火后,ZnO薄膜的晶粒尺寸明显增大,同时伴随晶粒尺寸分布非均匀化,较大的尺寸可达400nm,而较小的尺寸仅为50 nm.此外,椭偏测量表明:椭偏参数在不同的退火温区的变化呈现明显差别;当退火温度高于850℃时,薄膜的结构有明显的变化.
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