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以高纯Al粉和N2为原料,采用电弧法在原位成功合成微米球状室温铁磁性AlN稀磁半导体粉体.X-射线衍射仪(XRD)测试表明,AlN粉体为六方纤锌矿结构;扫描电子显微镜(SEM)显示AlN粉体微米片平均尺寸在2～ 40 μm,微米球平均尺寸在3 ～30 μm;电子能量散射谱(EDS)表明,AlN粉体由Al和N元素组成,且N不足;光致发光谱(PL)测试表明,AlN粉体发光主要由N空位和本征缺陷等引起的发光峰;振动样品磁强计(VSM)测试表明AlN粉体具有室温铁磁性,饱和磁化强度和矫顽力分别为130.0 A/m和13.68 kA/m.在950℃氨气气氛下退火8h后,饱和磁化强度和矫顽力分别为48.6 A/m和8.536 kA/m.缺陷在引起AIN稀磁半导体粉体的铁磁性上扮演着重要的角色.