标准CMOS工艺下高速集成大光敏面光电探测器芯片的研制

来源 :光电子·激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:metor2009
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为提高大纤芯(1 mm)塑料(POF)光纤通信用的单片集成光接收机(OEIC)的速率并降低成本,对Si基大光敏面光电探测器(PD)的结构、性能以及后续放大电路进行了研究。首先,基于标准CMOS工艺流程对N+/N-well/p-sub PD结构进行建模和优化设计,对其光谱响应曲线和频率特性曲线进行了仿真;其次,建立PD等效电路模型,结合设计的后续放大电路进行协同设计与仿真;最后,采用0.5μm CMOS工艺对单个面积为200μm×200μm的PD以及后续放大电路单片集成电路进行了流片、封装和测试。实验结果表明,在-2.5V偏压下和650nm波长入射光,N+/Nwell/p-sub PD的响应度约有0.12 A/W,暗电流约为-9pA;单片光接收机在小于10-9的误码率BER条件下,灵敏度为-23dBm,并得到250 Mbit/s速率的清晰眼图。
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