Si_3N_4陶瓷和ZrSiO_4复相陶瓷维氏压痕残余应力分布的扫描电子声学显微术观察

来源 :电子显微学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：airleon29

【摘要】

：

本文利用扫描电声显微术（ＳＥＡＭ）对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷和３０ｖｏｌ％ＳｉＣ（ｗ）／ＺｒＳｉＯ４复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像，表明电声像的能够揭示样品的表面和亚表

【作者】

：

张冰阳杨阳

【机构】

：

中国科学院上海硅酸盐研究所

【出处】

：

电子显微学报

【发表日期】

：

1998年1期

【关键词】

：

陶瓷复相陶瓷维氏压痕残余应力电镜

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本文利用扫描电声显微术（ＳＥＡＭ）对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷和３０ｖｏｌ％ＳｉＣ（ｗ）／ＺｒＳｉＯ４复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像，表明电声像的能够揭示样品的表面和亚表面的残余应力场分布，实验结果证实在陶瓷材料中的维氏压痕所引残余应力场是吾弹－塑性交替分布的区域，在维氏压痕的中心以及由压痕引起的裂纹对角线的端点是应力分布的集中区，同时显示ＳＥ

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