【摘 要】
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介绍了基于0.35μm BiCMOS工艺的8位高速A/D转换器,采用独特的折叠和内插结构,在大大降低成本、功耗的同时,既能保证超高转换速率,又能达到较高的静态和动态指标。在采样率1G
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十四研究所,
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介绍了基于0.35μm BiCMOS工艺的8位高速A/D转换器,采用独特的折叠和内插结构,在大大降低成本、功耗的同时,既能保证超高转换速率,又能达到较高的静态和动态指标。在采样率1GS/s和模拟输入差分250mV(Vp-p)、484MHz条件下进行测试,SFDR高达56dB,SNR高达45.5dB;在3.3V电源电压下,功耗为800mW。
The 8-bit high-speed A / D converter based on the 0.35μm BiCMOS process is introduced. With its unique folding and interpolation structure, the cost and power consumption are greatly reduced while the ultra-high conversion rate and the high Static and dynamic indicators. Testing at 1 GS / s with analog input and 250 mV (Vp-p) at 484 MHz yields SFDR up to 56dB with SNR up to 45.5dB and power dissipation of 800mW at a 3.3V supply voltage.
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