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用MBE生长了GaAs／Si／AlAs异质结及其对比样，通过深能级瞬态谱技术（DLTS）和X射线光电子谱测量（XPS）研究了Si夹层的引入对异质结的影响，研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷，异质结仍保持较好的质量，但使GaAs／AlAs的带阶发生了改变。
Si夹层对GaAs／AlAs异质结的影响
【摘 要】
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用MBE生长了GaAs／Si／AlAs异质结及其对比样，通过深能级瞬态谱技术（DLTS）和X射线光电子谱测量（XPS）研究了Si夹层的引入对异质结的影响，研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷，
【机 构】
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青岛农业大学理学院,北京师范大学物理系
【出 处】
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山东大学学报：理学版
【发表日期】
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2008年1期
【基金项目】
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教育部高等学校骨干教师计划资助项目
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