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研究了典型红外激励发光材料XS：Ra，Sm（x=Sr，Ca；Ra=Ce，Eu）的激励发光过程中电子与空穴的俘获中心及其转移过程，通过激发前后的红外吸收光谱的差异及吸收差与光激励谱的细微结构说明，电子俘获中心并不是Sm^3＋离子，但与Sm^3＋离子处于相邻的空间位置关系，Sm^3＋离子在载流子俘获与复合的过程中也没有发生价态或数量的变化，进一步的EPR谱研究表明Eu^2＋离子的价态在激发前后也没有发生变化。与共价性强的Ⅲ-Ⅴ族半导体晶体不同的是，在这类离子性较强的晶体中，载流子被杂质所引起的晶格缺陷而非杂质