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利用对微结构变化非常灵敏的相干声子光谱技术研究了非晶N：Ge S b薄膜的光致相变特征。发现当激光辐照能流达到某个阈值时，出现了一个新的声子模，表明相变的发生。同时，退火晶化的N：Ge S b薄膜也出现此新的声子模，表明激光照射的确导致了薄膜的晶化。相干光学声子谱的抽运能量密度依赖实验结果表明光致晶化的N：Ge S b薄膜的相干光学声子的寿命和频率均随抽运能量密度增加而减小，与晶体中的依赖关系一致。结果表明N：Ge S b薄膜的光致晶化质量较好，具有相变光存储应用潜力。