采用绝缘体上的半导体技术制备集成的多模干涉型光耦合器和光开关

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【摘要】

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在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2

【作者】

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余金中魏红振严清峰夏金松张小峰

【机构】

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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

【出处】

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中国科学院研究生院学报

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

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绝缘体半导体制备多模干涉光耦合器光开关集成光学 SOI技术 SOI MMI optical coupler optical switch i

【基金项目】

：

National Ministry of Science and Technology，the National Seience Foundation of China

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在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2薄膜(＜1.0μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼容.描述了采用SOI技术制备集成的MMI型光耦合器和光开关的设计和制造结果.业已证实,2×2 MMI-MZI(多模干涉-麦赫-曾德干涉)型热光开关的开关时间小于20μs.

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