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以磁绝缘传输线振荡器（MILO）中次级电子倍增效应物理图像为基础，对MILO中发生次级电子倍增效应的各阶共振模进行了计算和分析。结果表明：与基阶共振模相比，高阶共振模发生次级电子倍增效应的敏感区域要小得多，对次级电子倍增效应起主要作用的是基阶共振模；减小或抑制次级电子倍增效应，主要应考虑控制基阶共振模的电子倍增作用。