【摘 要】
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利用双离子束溅射沉积共溅射方法制备了富Si-SiO2薄膜,研究了沉积参数、时间、工作气压PAr.基片温度等对沉积速率的影响,用TEM和XRD分析了样品的结构,当基片温度Ts＜450℃时,所
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利用双离子束溅射沉积共溅射方法制备了富Si-SiO2薄膜,研究了沉积参数、时间、工作气压PAr.基片温度等对沉积速率的影响,用TEM和XRD分析了样品的结构,当基片温度Ts＜450℃时,所制备一系列样品均为非晶结构,当沉积基片温度较高时(Ts≥450℃),薄膜样品中才出现Si的颗粒.我们还分析了样品的室温光致发光现象,从PL谱中可以看出,样品有～320nm、～410nm、～500nm和～630nm四个PL峰,并对其发光机理进行初步探讨.
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