电离辐射致K562细胞旁效应的实验研究

来源 :中华放射医学与防护杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:macgrady2006
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目的 研究^60Coγ线不同剂量照射条件培养液(ICM)培养K562细胞后引发的旁效应。方法采用健康男性外周血自然杀伤(NK)细胞,观察不同剂量^60Coγ线照射的条件培养液培养后引发的K562细胞对NK细胞敏感性的改变,同时用流式细胞仪检测K562细胞的凋亡情况。结果照射组NK细胞活性显著增加,即受照肿瘤细胞的培养基显著影响了未受照肿瘤细胞的存活能力,从而NK细胞对未照射细胞的活性显著增加;其中,从0.5Gy起即出现显著升高,1.0Gy继续增加,2.0和5.0Gy出现波动,在8.5Gy达到最高。照射组K562细胞的凋亡率比对照组显著增加(P〈0.01),即受照肿瘤细胞的培养基显著影响了未受照肿瘤细胞的存活能力。在0.5Gy处,即出现非常明显的效应。结论对于K562细胞,ICM对细胞显示出明显损伤作用,NK细胞活性显著增加,凋亡率升高。提示存在培养基转移介导的电离辐射旁效应。

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