【摘 要】
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以不同纯度的氮气为保护性气氛,采用差热法和红外光谱法研究微量氧对聚碳硅烷裂解的影响,并讨论了在有微量氧的气氛下,不同裂解条件对陶瓷产率的影响.结果表明,氧可以与聚碳
【机 构】
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国防科技大学航天与材料工程学院CFC重点实验室
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以不同纯度的氮气为保护性气氛,采用差热法和红外光谱法研究微量氧对聚碳硅烷裂解的影响,并讨论了在有微量氧的气氛下,不同裂解条件对陶瓷产率的影响.结果表明,氧可以与聚碳硅烷起氧化反应,形成含氧基团,使裂解产物增重.合理地控制气氛流量、升温速率、试样量等裂解工艺条件,可有效地抑制氧对聚碳硅烷裂解的影响.当升温速率为30℃/min、氮气流量为80 mL/min时,气氛中微量氧的氧化程度降至最低,试样的陶瓷产率接近于实际值.
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