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亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性
亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:MAOTRON
【摘 要】
:
用二维模型模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能,结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电学常数的增大,阈值电区减小,而漏电流和亚阈值摆幅增大,导致器件短沟性能
【作 者】
:
朱晖文
刘晓彦
等
【机 构】
:
北京大学微电子学研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2001年9期
【关键词】
:
高K材料
栅介质
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
high K materials
gate dielectrics
MOSFET
【基金项目】
:
国家重点基础研究专项经费资助项目~~
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用二维模型模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能,结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电学常数的增大,阈值电区减小,而漏电流和亚阈值摆幅增大,导致器件短沟性能退化,这种退化可以通过改变侧墙材料来抑制。
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