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阐述了薄膜残余应力对MEMS器件结构的影响及其产生根源、测量技术与控制技术,对多层薄膜结构中热应力的产生进行了有限元建模和理论分析.通过对一种残余应力测量结构(微旋转结构)的仿真分析表明,旋转梁端的偏移量与残余应变成线性对应关系.最后,简单介绍了沉积工艺条件、应变相消法以及快速热退火在薄膜残余应力控制中的应用.