【摘 要】
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采用坩埚下降法生长了CaF2掺杂钨酸铅(PbWO4,PWO)晶体,研究了掺杂对PWO晶体的透射光谱、X射线激发发射谱和光产额等发光性能的影响。结果表明:与未掺杂PWO晶体相比,CaF2掺杂
【机 构】
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温州大学化学与材料工程学院,温州大学化学与材料工程学院,中国科学院上海硅酸盐研究所,温州大学化学与材料工程学院 浙江温州325035,浙江温州325035,中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050
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采用坩埚下降法生长了CaF2掺杂钨酸铅(PbWO4,PWO)晶体,研究了掺杂对PWO晶体的透射光谱、X射线激发发射谱和光产额等发光性能的影响。结果表明:与未掺杂PWO晶体相比,CaF2掺杂的PWO晶体在320~360 nm的透过率提高了35%;X射线激发发射强度和光产额比未掺杂PWO晶体高出1倍左右。CaF2掺杂引入了新的发光中心(WO3—F),被认为是导致PWO晶体发光增强的原因。
The CaF2 doped lead tungstate (PbWO4, PWO) crystals were grown by the crucible descent method. The effects of doping on the luminescence properties of PWO crystal, such as transmission spectra, X-ray emission spectrum and light yield, were studied. The results show that the transmittance of CaF2-doped PWO crystal increases by 35% at 320 ~ 360 nm compared with that of undoped PWO crystal, and the emission intensity and light yield of X-ray excitation are double that of undoped PWO crystal about. CaF2 doping introduces a new luminescent center (WO3-F), which is believed to be responsible for the enhanced luminescence of PWO crystals.
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