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轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻
轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunboy0214
【摘 要】
:
分析了轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻。用熔融氢氧化钾腐蚀显示位错,用暗点扫描法测薄层电阻。结果表明:单晶中位错密度和薄层电阻分布类似,并且和理论分析液封直
【作 者】
:
谢自力
【机 构】
:
南京电子器件研究所
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
1994年3期
【关键词】
:
掺铬
砷化镓
位错密度
薄层电阻
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分析了轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻。用熔融氢氧化钾腐蚀显示位错,用暗点扫描法测薄层电阻。结果表明:单晶中位错密度和薄层电阻分布类似,并且和理论分析液封直拉法生长的半绝缘砷化镓中应力分布一致,证明轻掺铬不影响单晶的位错密度。
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