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采用正面无保护的背腐蚀方法分离p-n结，用SEM图观察了背腐蚀后硅片表面形貌的变化，对背腐蚀与刻边分离p-n结样品的光生电动势进行了比较，用能带理论对其差别做了深入的解释。
背腐蚀法分离p-n结的研究
【摘 要】
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采用正面无保护的背腐蚀方法分离p-n结，用SEM图观察了背腐蚀后硅片表面形貌的变化，对背腐蚀与刻边分离p-n结样品的光生电动势进行了比较，用能带理论对其差别做了深入的解释。
【机 构】
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上海交通大学太阳能研究所
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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2007年2期
【基金项目】
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上海市科委项目“高效多晶硅太阳电池关键技术及中试研究”的奖金支持项目（03DZ12028）
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