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在半导体异质微纳米结构中,晶格失配和热失配等因素引起的弹性场对结构的光学和电学等物理性能产生重要影响.研究了晶格失配和热失配在半导体量子线结构中所产生的弹性场,在分析圆柱形量子线结构弹性场的基础上,推导得到了任意截面形状量子线结构解的一般形式,并给出无限大基体内横截面为三角形量子线结构的解析结果.该结果可为进一步研究弹性场对半导体量子线结构物理性能的耦合作用打下必要的基础.