【摘 要】
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硅纳米线的消光截面在特定波段可以达到其几何截面的数百倍,这意味着其可以将数百倍于其几何截面范围内的光收集起来。因此,硅纳米线被广泛应用于太阳电池、传感器和光催化等
【机 构】
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中国电力科学研究院有限公司,新能源电力系统国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(51402106,91333122,11504107,51372082)资助
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硅纳米线的消光截面在特定波段可以达到其几何截面的数百倍,这意味着其可以将数百倍于其几何截面范围内的光收集起来。因此,硅纳米线被广泛应用于太阳电池、传感器和光催化等光电子领域。硅纳米线主要有圆柱形(C-SiNW)和锥形(T-SiNW)两种形貌。其中, T-SiNW在更宽的波段范围具有大的消光系数,因而具有更好的广谱光收集能力。然而,当光从顶端入射时T-SiNW的吸收系数的数值却很小,严重限制了其实际应用。因此亟需研究入射角度对T-SiNW光谱行为的影响。此外,光的偏振也将影响T-SiNW的光谱行为。基于离散
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