垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangchaoyi222

【摘要】

：

在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证.与传统垂

【作者】

：

谷智李国强张龙介万奇

【机构】

：

西北工业大学凝固技术国家重点实验室

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

：

垂直Bridgman法 Hg1-xMnxTe晶体固液界面迁移变速生长机理组分均匀性 HgMnTevertical Bridgman growthvaria

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在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证.与传统垂直Bridgman法的对比实验结果表明,该方法可以在提高轴向组分均匀性的前提下增大抽拉速度,进而提高晶体生长速度.

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