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在原子氧侵蚀地面模拟设备中对Kapton和利用反应磁控溅射制备的SiO2涂层进行了原子氧暴露实验,并采用XPS和SEM等分析手段对暴露前后试样表面的物理和化学变化进行了研究。结果表明,Kapton试样遭受了严重的侵蚀,质量损失较大；SiO2涂层质量变化很小,对基体提供了良好的保护作用。XPS分析结果表明,反应溅射的SiO2涂层是富Si的,初始暴露时由于氧化反应而质量有少许增加,随时间延长,涂层变得完全符合化学计量。SiO2涂层在原子氧暴露后涂层的太阳吸收率、辐射率和反射系数均没有发生明显的变化。SiO2涂层较脆,易产生裂纹,原子氧会通过缺陷位侵蚀下面的基体材料,严重影响飞行任务的正常进行。