【摘 要】
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在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻 ,而且在功率 HBT
【机 构】
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吉林大学电子科学和工程学院,吉林大学电子科学和工程学院,吉林大学电子科学和工程学院,吉林大学电子科学和工程学院,香港科技大学物理系,香港科技大学物理系,吉林大学电子科学和工程学院 集成光电子国家重点实
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在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻 ,而且在功率 HBT器件中还能非常有效地降低发射极电流集边效应
In the heterojunction bipolar transistor (HBT) power devices can be introduced epitaxial growth of the emitter ballast to improve its thermal stability. Theoretical calculations and experiments show that the low doped epitaxial layer can not only as a ballast Resistance, but also very effective in reducing the collector current effect of the emitter current in power HBT devices
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