一种新型指数补偿BICMOS带隙基准源

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wjc_0758

【摘要】

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在分析了带隙基准的指数曲率补偿原理的基础上,设计了一个低功耗、低温度系数、高电源抑制比的新型BICMOS带隙基准源电路.该电路基于0.6μm BICMOS工艺进行设计、仿真和实现.

【作者】

：

孙金中冯炳军

【机构】

：

中国科学院微电子研究所,杭州中科微电子有限公司

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2010年12期

【关键词】

：

BICMOS 带隙基准源指数补偿低功耗 BICMOS bandgap reference exponential curvature-compensat

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在分析了带隙基准的指数曲率补偿原理的基础上,设计了一个低功耗、低温度系数、高电源抑制比的新型BICMOS带隙基准源电路.该电路基于0.6μm BICMOS工艺进行设计、仿真和实现.仿真结果表明,该带隙基准源在5V电源电压下,电源电流为50μA;温度变化范围从-40℃~110℃时,温度系数为2ppm/℃;低频电源抑制比为-105dB;负载从空载到驱动1k电阻时调整率为0.6mV.

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