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提出了一种新的表征亚阈值电路镜电路中CMOS工艺波动的方法．与现有的统计学方法相比，该方法在理论上和计算复杂度上相对简洁，但对亚阈值电流镜电路中的CMOS工艺波动做出了准确的评估．此模型利用统计学的概念将依赖于Ic工艺的物理参数抽象为具有确定均值和方差的随机变量，并进一步将所有随机因素累加为离散鞅．在SMIC 0．18μm CMOS1P6M混合信号工艺下，利用工作在100pA-1μA范围内、增益为100的亚阈值电流镜电路对此方法的正确性进行了实验验证．该理论成功地预测了～10％的实测芯片间工艺波动，并且给